Nucleación y propagación de grietas en obleas de Si sometidas a altas temperaturas

Este proyecto se basa en el estudio teórico de la propagación de grietas en obleas de silicio durante el procesado de microprocesadores. Mediante el uso de microscopía electrónica, se analizará visualmente la geometría y la forma de las grietas. La estabilidad de las grietas durante las fases del procesado (calentamiento-enfriamiento, depósito de varias capas, etc.) se simulará empleando modelos analíticos basados en una mecánica elástica lineal de la fractura.

INTEL se encarga de la microscopía electrónica y los detalles del procesado. IMDEA-Materiales realiza los análisis teóricos.

Socios: INTEL Ireland

Financiación: INTEL Ireland
Sector Industrial: Electrónica
Región: Irlanda
Perido del Proyecto: 2008

Investigador Principal: Javier Segurado
Contacto: javier.segurado@imdea.org